可以通过德国半导体保护法来保护微电子半导体产品的三维结构(拓扑图),即具有多层结构的微芯片的“掩膜作品”。
保护的条件是所申请的拓扑图必须具有“特殊性”,如果是独立的作品而不是传统知识作品通常都是这种情况。
如果满足保护的形式条件,由德国专利商标局登记拓扑图。没有实质检查来确定是否满足“特殊性” 。在首次商业使用起两年内可以在德国专利商标局申请拓扑图保护。
拓扑图的保护期限是十年。如果在其用于商业用途之后才申请拓扑图保护,保护的期限会相应减少。
Patent Attorneys
European Patent Attorneys
European Trademark & Design Attorneys
可以通过德国半导体保护法来保护微电子半导体产品的三维结构(拓扑图),即具有多层结构的微芯片的“掩膜作品”。
保护的条件是所申请的拓扑图必须具有“特殊性”,如果是独立的作品而不是传统知识作品通常都是这种情况。
如果满足保护的形式条件,由德国专利商标局登记拓扑图。没有实质检查来确定是否满足“特殊性” 。在首次商业使用起两年内可以在德国专利商标局申请拓扑图保护。
拓扑图的保护期限是十年。如果在其用于商业用途之后才申请拓扑图保护,保护的期限会相应减少。
爱尔兰根办公室
Wetterkreuz 3
91058 Erlangen
Tel. ++49 (0) 9131 / 53 36 9 - 0
纽伦堡办公室
Bernhardstraße 10
90431 Nürnberg
Tel. ++49 (0) 911 / 321550-5